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液晶的結(jié)構(gòu)

它的結(jié)構(gòu)主要的是有兩塊偏觀瀾角度，相互垂直，直至光線就可以完成，無法通過。這樣夜靜的結(jié)構(gòu)也就漸而成了。

進(jìn)晶體的分子一般是乘二為有序排序的分子排列成層。這種液晶的年度以及它的你都非常大的對(duì)于外界的電磁，溫度等方面都不太敏感，而且像液晶分子中會(huì)常有一定的程序。它的上下左右前后都是可以滑動(dòng)的，特別敏感，這也就是TFT顯示模組主要的材料。實(shí)力非常的，而且涉及的面積非常廣，儀表儀器控制顯示模塊改造，各大應(yīng)用都用得到該設(shè)計(jì)軟件，并且還涉及到出口，進(jìn)口等方面的應(yīng)用，可以說波及范圍特別的廣，更好的來適應(yīng)需求。

在工業(yè)環(huán)境適應(yīng)性方面，TFT液晶顯示屏經(jīng)過了特殊的設(shè)計(jì)與優(yōu)化，能夠在較為惡劣的環(huán)境條件下正常工作。它具備寬溫特性，可在低溫至-30℃甚至更低，高溫至70℃甚至更高的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)了從寒冷的極地地區(qū)到炎熱的沙漠地帶，從高溫的工業(yè)熔爐車間到低溫的冷藏倉(cāng)庫(kù)等各種溫度環(huán)境下的工業(yè)應(yīng)用需求。同時(shí)，儀表儀器控制顯示模塊工廠，TFT液晶顯示屏還具有一定的防塵、防水、防潮以及抗電磁干擾能力，能夠有效抵御工業(yè)環(huán)境中的灰塵、濕氣、電磁輻射等不利因素的影響，減少因環(huán)境因素導(dǎo)致的設(shè)備故障與損壞，提高工業(yè)設(shè)備的可靠性與穩(wěn)定性，降低設(shè)備維護(hù)成本與停機(jī)時(shí)間。

主要可以分成兩大類，一類是熱制液晶屏，另一類是溶質(zhì)液晶屏。而這兩種也是有所不同的，熱質(zhì)液晶屏是把某些有機(jī)物質(zhì)加熱溶解，由于加熱的時(shí)候破壞了液晶晶格從而形成了液晶。溶質(zhì)液晶實(shí)際上是把某種有機(jī)物質(zhì)放在一定的容器里面，由于容器破壞液晶晶格，從而形成了液晶。

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有機(jī)發(fā)光二極管是一種自發(fā)光材料，不需要背光板。同時(shí)視角廣，畫質(zhì)均勻，反應(yīng)速度快，易于彩色。家電行業(yè)顯示模塊廠家，汕頭控制顯示模塊，它可以通過簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)電路發(fā)光，工藝簡(jiǎn)單，可以制成柔性面板。它符合輕薄短小的原則，適用范圍為中小型面板。

LCM英文全稱是LCD Module 英文簡(jiǎn)稱是LCM

中文名稱是LCD顯示模組、液晶模塊，

是指將液晶顯示器件與連接件，結(jié)構(gòu)件形成的一個(gè)整體組件，

廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備(手機(jī)、電話)、家用電器(空調(diào))、消費(fèi)電子(MP3、電子游戲機(jī))、教育電子(電子辭典、PDA)、儀器儀表(電表、萬用表)、稅控設(shè)備(加油機(jī)、收款機(jī))等諸多領(lǐng)域。

發(fā)光源(Edge lighting)為擺在側(cè)邊之單支光源，導(dǎo)光板采射出成型無打印式規(guī)劃，通常常用于30寸以下中小尺度的背光模組，其側(cè)邊入射的光源規(guī)劃，具有輕量、薄型、窄框化、低耗電的特征，亦為手機(jī)、平板電腦 、筆記型電腦的光源，亦有大尺度電視背光模組選用側(cè)光式構(gòu)造。

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STN LCD比TN LCD的視角更寬，而且除筆段型和字符型的顯示以外，也可以做點(diǎn)陣型。STN LCD搭配半透或者反射的偏光片時(shí)，可以不加背光直接顯示，儀表儀器控制顯示模塊廠家，降低成品的功耗。而且LCD還可以嵌入簡(jiǎn)單的觸控功能，將顯示與觸控功能二合為一，是物理按鍵面板的上佳替代方案。

現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的tft類型包括：非晶硅tft（a-si tft）、多晶硅tft（p-si tft）、單晶硅tft（c-si tft）幾種。目前使用Z多的仍是a-si tft。a-si tft的制造工藝是先在硼硅玻璃基板上濺射柵極材料膜，經(jīng)掩膜曝光、顯影、干法蝕刻后形成柵極布線圖案。

tft陣列工藝是tft-lcd制造工藝的關(guān)鍵，也是設(shè)備投資Z多的部分。整個(gè)工藝要求在很高的凈化條件（例如10級(jí)）下進(jìn)行。

一般掩膜曝光用步進(jìn)曝光機(jī)。第二步是用pecvd法進(jìn)行連續(xù)成膜，形成sinx膜、非摻雜a-si膜，摻磷n+a-si膜。然后再進(jìn)行掩膜曝光及干法蝕刻形成tft部分的a-si圖案。第三步是用濺射成膜法形成透明電極（ito膜），再經(jīng)掩膜曝光及濕法蝕刻形成顯示電極圖案。第四步柵部絕緣膜的接觸孔圖案形成則是使用掩膜曝光及干法蝕刻法。第五步是將al等進(jìn)行濺射成膜，用掩膜曝光、蝕刻形成tft的源極、漏極以及信號(hào)線圖案。Z后用pecvd法形成保護(hù)絕緣膜，再用掩膜曝光及干法蝕刻進(jìn)行絕緣膜的蝕刻成形（該保護(hù)膜用于對(duì)柵極以及信號(hào)線電部和顯示電極的保護(hù)）。至此，整個(gè)工藝流程完成。

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