1、真空鍍膜的方法材料:
(1)真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,電筒反光杯加工,凝結而成薄膜。
(2)陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,惠州電筒反光杯,把惰性氣體(如ya)通入已抽空的室內(nèi),保持壓強約1.33~13.3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,注塑電筒反光杯,便激發(fā)輝光放電,帶正電的ya離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。
(3)化學氣相沉積:通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物,獲得沉積薄膜的過程。
(4)離子鍍:實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合,兼有兩者的工藝特點。表6-9列出了各種鍍膜方法的優(yōu)缺點。






在真空中制備膜層,包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段,電筒反光杯廠家,但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。
真空鍍膜技術初現(xiàn)于20世紀30年代,四五十年代l開始出現(xiàn)工業(yè)應用,工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得廣泛的應用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),屬于物理氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜,故也稱真空金屬化。



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