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1.TFT 結(jié)構(gòu):TFT是由多個(gè)薄膜層組成的結(jié)構(gòu)。其中包括透明導(dǎo)電層(一般為透明的氧化銦錫涂層，ITO層)，絕緣層(般為二氧化硅或硅氧化鋁)，以及半導(dǎo)體層(多品硅或非晶硅)。

2.偏壓施加:在TFT中，電場通過透明導(dǎo)電層施加在半導(dǎo)體層上，儀器顯示屏控制系統(tǒng)找哪里，可以調(diào)節(jié)半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性。

3.管道形成:由于施加的電壓，半導(dǎo)體層中部分區(qū)域的導(dǎo)電特性會(huì)發(fā)生變化，形成了導(dǎo)電通道。這個(gè)導(dǎo)電通道可以控制液晶的透過性，從而控制顯示器上的像素顯示。

TFT薄膜晶體管陣列（TFTArray） 這是TFT液晶屏的。這層位于下玻璃基板上，由密集的薄膜晶體管組成，每個(gè)像素點(diǎn)都對應(yīng)一個(gè)獨(dú)立的TFT開關(guān)。這些微小的開關(guān)負(fù)責(zé)控制流向每個(gè)像素的電壓，清遠(yuǎn)顯示屏控制系統(tǒng)，確保像素能夠被獨(dú)立、穩(wěn)定地控制。

液晶層（LiquidCrystalLayer） 這是面板的中央層，夾在兩片玻璃基板之間。它由液晶分子構(gòu)成。這些分子在沒有電場時(shí)呈無序排列，而在施加電壓后會(huì)按特定方向旋轉(zhuǎn)。正是這種特性，使得它們能夠像一個(gè)“光閥”，控制穿過每個(gè)像素點(diǎn)的光線量。

其它輔助層 除了以上結(jié)構(gòu)，面板內(nèi)還有一些輔助層，如： 取向膜（AlignmentLayer）：用于讓液晶分子在沒有施加電壓時(shí)，能夠按特定方向排列。 隔墊物（Spacer）：均勻分布在兩片玻璃基板之間，以確保兩者之間的距離（即盒厚）始終保持一致。 密封膠：用于密封兩片玻璃基板，防止液晶分子泄漏。

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彩色 TFT 液晶屏主要有 2 種接口： TTL 接口（ RGB 顏色接口） ， LVDS接口（將 RGB 顏色打包成差分信號(hào)傳輸）。 TTL 接口主要用于 12.1 寸一下的小尺寸 TFT 屏， LVDS 接口主要用于 8 寸以上的大尺寸 TFT 屏。 TTL 接口線多， 傳輸距離短； LVDS 接口傳輸距離長， 線的數(shù)量少。 大屏采用較多的模式， 控制腳是 VSYNC ，HSYNC ， VDEN ，家電顯示屏控制系統(tǒng)升級， VCLK ， S3C2440 Z高支持 24 個(gè)數(shù)據(jù)腳，家電顯示屏控制系統(tǒng)電話， 數(shù)據(jù)腳是 VD[23-0] 。

CPU 或顯卡發(fā)出的圖像數(shù)據(jù)是TTL 信號(hào)（ 0-5V 、 0-3.3V 、 0-2.5V 、或 0-1.8V ）， LCD 本身接收的也是 TTL 信號(hào)，由于ＴＴＬ信號(hào)在高速率的長距離傳輸時(shí)性能不佳，抗干擾能力比較差，后來又提出了多種傳輸模式，比如LVDS 、 TDMS 、 GVIF 、 P&D 、 DVI 和 DFP 等。他們實(shí)際上只是將CPU 或顯卡發(fā)出的 TTL 信號(hào)編碼成各種信號(hào)以傳輸，在LCD 那邊將接收到的信號(hào)進(jìn)行*碼得到ＴＴＬ信號(hào)。但是不管采用何種傳輸模式，本質(zhì)的TTL 信號(hào)是一樣的。注意： TTL/LVDS 分別是兩種信號(hào)的傳輸模式，TTL 是高電平表示 1，低電平表示 0 的模式， LVDS是正負(fù)兩個(gè)對應(yīng)波形，用兩個(gè)波形的差值來表示當(dāng)前是1 還是 0

MCU 接口的 LCD 的 Driver IC 都帶 GRAM ， Driver IC 作為 MCU 的一片協(xié)處理器，接受 MCU 發(fā)過來的 Command/Data，可以相對獨(dú)立的工作。對于 MCU接口的LCM（ LCDModule），其內(nèi)部的芯片就叫 LCD驅(qū)動(dòng)器。主要功能是對主機(jī)發(fā)過的數(shù)據(jù)/ 命令，進(jìn)行變換，變成每個(gè)象素的 RGB數(shù)據(jù)，使之在屏上顯示出來。這個(gè)過程不需要點(diǎn)、行、幀時(shí)鐘。

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成膜

顧名思義，成膜就是通過物理或化學(xué)的手段在玻璃基板的表面形成一層均勻的覆蓋層。在TFT 陣列制作過程中，我們會(huì)用到磁控濺射（Sputter，或稱物理氣相沉積PVD）和等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積（PECVD）

磁控濺射（Sputter）

濺射是在真空條件下，用 He 氣作為工作氣體。自由電子在直流 DC 電場的作用下加速獲得能量，高能電子碰撞 He 原子，產(chǎn)生等離子體。He 離子在DC 電場的作用下，加速獲得能量，轟擊在靶材上，將靶材金屬或化合物原子濺射出來，沉積在附近的玻璃基板上，Z后形成膜。

TFT 溝道刻蝕主要是刻掉非晶硅表面的一層N 型參雜的接觸層。這一層具有改善接觸電阻的作用。但這一層在溝道的部分必須完全刻蝕干凈，否則溝道短路或漏電流偏大。溝道是否刻蝕干凈，用光學(xué)的辦法不能檢測，因?yàn)?N 型參雜層是透明的。所以在溝道刻蝕后插入開路/短路（O/S）電測。

開路/短路電測的原理很簡單：將兩個(gè)探針放在電極的兩端，檢測電流以判斷電極是否開路；將兩個(gè)探針放在相鄰的兩個(gè)電極上，檢測電流以判斷這兩個(gè)電極間是否短路。

TFT液晶屏的不足與改進(jìn)方向

盡管TFT液晶屏在顯示領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，但它仍有一些限制:

可視角度有限:從側(cè)面觀看時(shí)，亮度和色彩會(huì)有衰減

能耗依賴背光:與自發(fā)光的OLED相比，功耗更高。

厚度限制:受制于背光模塊，難以做到超薄極限。

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